Microsc. Microanal. Microstruct. 3, 501-516 (1992)
DOI: 10.1051/mmm:0199200306050100

Microscale characterisation of epitaxial semiconducting homolayers. - II. Electron beam induced current

François Cleton¹, Brigitte Sieber¹ et Jean Luc Loffiaux<sup>2

1</sup>  Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, Unité de Recherche Associée au CNRS n° 234, Bât. C6, Université des Sciences et Technologies de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq cedex, France
²  Université des Sciences et Technologies de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq cedex, France.

Abstract
The dependence of the electron beam induced current (EBIC) collection efficiency ηCC on the electron beam voltage is modelled for the particular case of the GaAs homostructure studied in part I of this paper. The minority carrier diffusion length L1 and the doping level ND1 of the uppermost layer, as well as the value of the first and second interface recombination velocities V1 and V2 can be determined by this technique. The experiments, performed on two homostructures, grown in the same conditions, on semi-insulating substrates supplied by different manufacturers, indicate the influence of the substrate on the value of L1 and ND1.

Résumé
Nous avons modélisé la variation de l'efficacité de collecte du courant induit (EBIC), ηCC, avec la tension d'accélération des électrons incidents. La structure étudiée est identique à celle caractérisée dans la première partie de cet article. L'utilisation du courant induit permet de mesurer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires ainsi que le dopage effectif de la première couche. La valeur des vitesses de recombinaison aux interfaces peut également être estimée par cette technique. A partir de l'étude expérimentale de deux échantillons fabriqués dans les mêmes conditions sur des substrats semi-isolants de provenance différente, nous avons mis en évidence une influence du substrat sur les valeurs de longueur de diffusion et de dopage effectif de la couche supérieure.

PACS
7361E - III-V semiconductors.
6837H - Scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC).
8530D - Semiconductor-device characterization, design, and modeling.

Key words
Semiconductor epitaxial layers -- Homoepitaxy -- Electron beam induced currents -- Minority carriers -- Scattering lengths -- Electrical properties -- III-V semiconductors -- Binary compounds -- Gallium arsenides -- Recombination rates -- GaAs -- As Ga


© EDP Sciences 1992