Microsc. Microanal. Microstruct. 5, 313-319 (1994)
DOI: 10.1051/mmm:0199400504-6031300

Microscopie à effet tunnel des surfaces de GaSe hétéroépitaxié sur Si

Guy Michel Guichar, Mohammed Said Belkaid, Marc Morand et Youri Koudinov

Laboratoire de Physique des Solides, associé au CNRS n° 154, Université Pierre et Marie Curie, Tour 13-E2, 4 Place Jussieu 75252 Paris Cedex 05, France

Abstract
GaSe lamellar compound surfaces have been studied using scanning tunneling microscopy (S.T.M.). First, the experimental set-up which have been built is briefly described. S.T.M. images show that the films, deposited by molecular beam epitaxy are nice, except some localised defaults. Images exhibiting atomic resolution are also shown.

Résumé
Des surfaces du composé lamellaire GaSe ont été étudiées par microscopie à effet tunnel (S.T.M.). Le montage expérimental que nous avons construit est tout d'abord brièvement décrit. Les images tunnel montrent que ces couches, déposées sur des surfaces de Si(111) par épitaxie par jets moléculaires, sont de bonne qualité, avec quelques défauts localisés. Des images à la résolution atomique sont également présentées.

PACS
6837E - Scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM).
0778 - Electron, positron, and ion microscopes; electron diffractometers.

Key words
Experimental study -- Epitaxial layers -- Heterojunctions -- Semiconductor materials -- Binary compounds -- Gallium selenides -- Molecular beam epitaxy -- Layered crystals -- STM -- Image forming -- Lattice image -- Operating mode -- Spatial resolution -- Surfaces -- Interfaces -- Condensed matter physics -- Materials science -- Physics -- Structure of liquids -- Structure of solids -- Crystallography -- Condensed state physics -- Inorganic compounds


© EDP Sciences 1994