Microsc. Microanal. Microstruct. 1, 463-470 (1990)
DOI: 10.1051/mmm:0199000105-6046300

S.T.M. studies on semiconductor surfaces and metal-semiconductor interfaces

Frank Palmino¹, Philippe Dumas¹, Frank Thibaudau², Philippe Mathiez¹, Christian Mouttet¹ et Frank Salvan<sup>1

1</sup>  Groupe de Physique des Etats Condensés, URA CNRS 783, Faculté des Sciences de Luminy, Département de Physique, Case 901, 13288 Marseille Cedex 9, France
²  C.E.N. Saclay, DPHG-PAS, Bât. 462, 91191 Gif/Yvette, France

Abstract
In the last few years, a better understanding of the structural and electronic properties of surfaces at the nanometric scale has been achieved via S.T.M. characterisation. The aim of this paper is to report on surface physics experiments on Si surfaces and metal-silicon interfaces which have been carried out in our S.T.M. group in Marseille. The following systems will be discussed: Si (111); B/Si (111) √3 x √3 R (30°); Sn/Si (111) √3 x √3 R (30°); Ag/Si (111). Whereas achieving atomic resolution in structural studies of surfaces has long been the major goal since early S.T.M. work, we insist on the necessity of having in parallel an overview of the topography of the surface on rather large scan-windows. This kind of microscopy using S.T.M. has recently received attention on our group and allowed us to correlate the corrugation of the surface with the preparation procedure.

Résumé
Au cours des dernières années, la caractérisation en microscopie tunnel des surfaces à l'échelle nanométrique a permis une meilleure compréhension de leurs propriétés structurales et électroniques. Cet article fait état d'expériences de microscopie par effet tunnel sur des surfaces de silicium et sur des interfaces métal-silicium que nous avons effectuées dans notre groupe à Marseille. Nous discuterons les systèmes suivants: Si(111); B-Si(111) √3 x √3 R (30°); Sn/Si√3 x √3 R (30°) et Ag/Si(111). L'obtention de la résolution atomique a été, depuis l'invention de la microscopie tunnel, la principale préoccupation dans l'étude des propriétés structurales des surfaces. Nous mettons ici l'accent sur la nécéssité d'avoir également une information sur la topographie de la surface à plus grande échelle. Ce type de microscopie tunnel a récemment été utilisé par notre groupe et nous a permis de relier la rugosité de la surface de silicium (111) à la méthode de préparation des échantillons.

PACS
6837E - Scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM).

Key words
Surface structure -- Interface structure -- STM -- Metal-semiconductor contacts -- Surface topography -- Roughness -- Fabrication structure relation -- Silicon -- Experimental study


© EDP Sciences 1990