Microsc. Microanal. Microstruct. 4, 419-427 (1993)
DOI: 10.1051/mmm:0199300405041900

A STM study on compared chemical reactivities of different Si(111) surfaces: copper growth and ferrocene adsorption

F. Thibaudau, T.P. Roge, J.R. Roche, Ph. Mathiez, Ph. Dumas et F. Salvan

URA CNRS 783, Faculté des Sciences de Luminy, Département de Physique, Case 901, 13288 Marseille Cedex 9, France

Abstract
As an illustration of our activities in the domain of near field microscopies, we present a comparative STM study on Cu and ferrocene adsorption on different Si(111) surfaces: B-Si(111) √3 x √3 R(30°) with various concentration of boron and a Si(111) 7 x 7. We show that √3 phases of boron doped surfaces are relatively chemical inert. We thus correlate the surface reactivity with the density of outer Si dangling bonds.

Résumé
Comme illustration de nos activités dans le domaine de la microscopie de champ proche, nous présentons une étude comparative de l'adsorption du cuivre et du ferrocène sur différentes surfaces de Si(111): B-Si(111) √3 x √3 R(30°) de concentration en bore variable et Si(111) 7 × 7. Nous montrons que la phase √3 de la surface dopée au bore est chimiquement relativement inerte. Nous corrélons la réactivité de surface à la densité de liaisons pendantes à la surface du silicium.

PACS
6837P - Atomic force microscopy (AFM).
6835F - Diffusion; interface formation.
8115G - Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.).
6843 - Chemisorption/physisorption: adsorbates on surfaces.

Key words
Experimental study -- Adsorption -- Surface structure -- Dangling bonds -- Surface reactions -- Doped materials -- Boron additions -- Silicon -- Ferrocene -- Copper -- Surfaces -- Interfaces -- Condensed matter physics -- Materials science -- Physics -- Condensed state physics


© EDP Sciences 1993