Microsc. Microanal. Microstruct. 2, 503-514 (1991)
DOI: 10.1051/mmm:0199100205050300

Cathodoluminescence imaging of microindented {111} CdTe

Annick Rivière¹, Brigitte Sieber² et Jean Pierre Rivière<sup>1

1</sup>  Laboratoire de Physique des Matériaux, CNRS, 1 Place Aristide Briand, 92195 Meudon, Bellevue, France
²  Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, Unité de Recherche Associée au CNRS N° 234, Bâtiment C6, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres-Artois, 59655 Villeneuve d'Ascq, Cédex, France

Abstract
Microhardness experiments have been carried out at room temperature on both polar {111} faces of n types CdTe specimens. The indentation figures is imaged by cathodoluminescence in a Scanning Electron Microscope (SEM / CL). The better spatial resolution of CL images, compared to that obtained by the etch-pit method, allows us to draw some new conclusions about the dislocation patterns around indentations on CdTe.

Résumé
Des figures d'indentation développées à température ambiante sur les deux faces polaires {111} de CdTe ont été observées par cathodoluminescence dans un microscope électronique à balayage. La bonne résolution de cette technique apporte des renseignements nouveaux sur la configuration des dislocations développées autour des indentations.

PACS
6220F - Deformation and plasticity (including yield, ductility, and superplasticity).
7860H - Cathodoluminescence, ionoluminescence.
6837H - Scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC).

Key words
Indentation -- Microhardness -- Cathodoluminescence -- Scanning electron microscopy -- Dislocation density -- Cross slip -- Crystal faces -- II-VI semiconductors -- Binary compounds -- Cadmium tellurides -- CdTe -- Cd Te


© EDP Sciences 1991