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Microsc. Microanal. Microstruct.
Volume 5, Number 1, February 1994
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Page(s) | 57 - 60 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/mmm:019940050105700 |
DOI: 10.1051/mmm:019940050105700
STM studies of Si and C evaporation on Si (111) at RT by laser ablation
J. Diaz, S. Ferrer et F. CominE.S.R.F., BP-220, 38043 Grenoble Cedex, France
Abstract
Silicon and carbon have been deposited on Si (111) under UHV by means of the pulsed laser evaporation technique. The evaporated species contain ions of kinetic energies as high as 2 KeV for Si and 800 eV for C, i.e. much higher than in thermal evaporation. STM images of about 0.01 deposited monolayers reveal that some damage is produced on the substrate. The damaged areas consist mainly in monoatomic vacancies of the so called adatoms, displaced adatoms and agglomerates of vacancies.
Résumé
On a fait des dépôts de Si et C sur la surface de Si (111) sous ultra vide par évaporation par laser. Le matériel évaporé contient des ions de silicium ou de C avec des énergies cinétiques aussi élevées que 2 keV et 800 eV respectivement, donc plus élevés que dans une évaporation thermique. Images obtenues in situ par microscopie a effet tunnel d'un dépôt de 0,01 monocouches montre des défauts provoquées par les atoms évaporés sur le substrat. Les défauts consistent en vacants monoatomiques sur les sites occupés pour les nommés adatoms dans la cellule unitaire, des adatoms deplacés et des cratères.
8115F - Laser deposition.
6837E - Scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM).
6855L - Defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc..
Key words
Experimental study -- Crystal growth from vapors -- Vacuum evaporation -- Laser radiation -- TEM -- Crystal structure -- Vacancies -- Atomic displacements -- Silicon -- Carbon -- Surfaces -- Interfaces -- Condensed matter physics -- Materials science -- Physics -- Condensed state physics
© EDP Sciences 1994