Microsc. Microanal. Microstruct. 8, 369-378 (1997)
DOI: 10.1051/mmm:1997128

Quantitative EELS by Spectrum Parametrization

Abdelaziz Aitouchen, Yolande Kihn et Gérald Zanchi

Centre d'Élaboration des Matériaux et d'Études Structurales, 29 rue J. Marvig, BP 4347, 31055 Toulouse Cedex 04, France

Abstract
In order to describe the profiles of electron energy loss spectra in transmission electron microscopy, an analytical form of the intensity has been established taking the various elementary diffusion processes into account. This procedure is used to evaluate the background profile in each part of the spectra, even for thick samples. Simple diffusion models can then be established from experimental spectra and the application area of quantitative elementary chemical analysis can hence be extended.

Résumé
Dans le but de décrire les profils de spectres de pertes d'énergie d'électrons en microscopie électronique en transmission, une expression analytique de l'intensité a été établie en tenant compte des divers processus de diffusion élémentaires. L'un des intérêts majeurs de cette méthode de calcul est de pouvoir évaluer le fond continu en tout point du spectre, quelle que soit l'épaisseur de l'échantillon analysée. Ceci permet d'une part de définir les modèles de diffusion simple à partir des spectres expérimentaux et d'autre part d'élargir le domaine d'application de l'analyse chimique élémentaire quantitative.

PACS
8280P - Electron spectroscopy for chemical analysis photoelectron, Auger spectroscopy, etc..
7920K - Other electron surface impact phenomena.

Key words
electron energy loss spectra -- electron spectroscopy -- spectrochemical analysis -- transmission electron microscopy -- quantitative EELS -- spectrum parametrization -- transmission electron microscopy -- elementary diffusion processes -- background profile -- diffusion models -- chemical analysis


© EDP Sciences 1997