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Microsc. Microanal. Microstruct.
Volume 5, Number 1, February 1994
Page(s) 41 - 45
Microsc. Microanal. Microstruct. 5, 41-45 (1994)
DOI: 10.1051/mmm:019940050104100

Cross characterization by scanning electron microscopy and atomic force microscopy of Ag islands grown on Si (111) 7×7

M. Hanbücken1, I. Vianey1, F. Palmino2 et D. Pailharey2

1  CRMC2 - CNRS Campus de Luminy, Case 913,13288 Marseille, France
2  GPEC UA CNRS 783, Département de Physique, Case 901, Faculté des Sciences de Luminy, 13288 Marseille, France

Two types of microscopy, scanning electron (SEM) and atomic force microscopy (AFM), have been used in a comparative way to study very big (10 - 40 μm) Ag islands grown on a Si(111)√3 x √3 interface. The signals used for image formation are of very different nature; secondary electrons emitted from the sample, in SEM and, in AFM, light deflected from the system probing the surface. In the present study, both microscopes were used in similar magnification ranges. A rather irregular morphology of the islands and a surface topography with large inhomogeneities on the top face were observed. The size distribution of the islands was found to be very wide. AFM and SEM, for minor differences, basically give access to the same results.

Deux types de microscopies, la microscopie électronique à balayage (SEM) et la microscopie à force atomique (AFM), ont été utilisées d'une façon comparative pour étudier des ilots d'Ag de très grande taille (10 - 40 μm) formés sur l'interface Si(111)√3 x √3-Ag. Les images sont de nature très différente dans les deux cas: Electrons secondaires émis par l'échantillon en SEM, lumière réfléchie par la sonde balayant la surface en AFM. Les deux microscopes ont été utilisés dans des gammes de grossissement comparables. Une morphologie plutôt irrégulière et une topographie de surface démontrant de grandes inhomogenéités ont pu être mises en évidence sur les îlots dont la distribution de taille est par ailleurs très large. Les résultats obtenus en AFM et SEM sont, mis à part des différences mineures, principalement identiques.

6837P - Atomic force microscopy (AFM).
6837H - Scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC).
6855A - Nucleation and growth: microscopic aspects.

Key words
Experimental study -- Interface structure -- SEM -- Atomic force microscopy -- Island structure -- Silver -- Silicon -- Semiconductor materials -- Surfaces -- Interfaces -- Condensed matter physics -- Materials science -- Physics -- Condensed state physics -- Transition elements

© EDP Sciences 1994