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Microsc. Microanal. Microstruct.
Volume 6, Number 2, April 1995
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| Page(s) | 229 - 235 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/mmm:1995101 | |
Microsc. Microanal. Microstruct. 6, 229-235 (1995)
DOI: 10.1051/mmm:1995101
1 Laboratoire de Physique des Solides, ERS CNRS 111, INSA, Complexe Scientifique de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Chimie des Matériaux Inorganiques, ERA CNRS 1311, Université Paul Sabatier, 118 Route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6180J - Ion beam effects.
6170P - Stacking faults, stacking fault tetrahedra and other planar or extended defects.
Key words
dislocation loops -- electron microscopy -- II VI semiconductors -- ion beam effects -- stacking faults -- zinc compounds -- ion bombardment induced dislocation loops -- ZnO -- high resolution electron microscopy -- ion bombardment thinning -- stacking faults
© EDP Sciences 1995
DOI: 10.1051/mmm:1995101
HREM Observations of Ion Bombardment-Induced Dislocation Loops in ZnO
Jean-Jacques Couderc1, Jean-Jacques Demai2, Guy Vanderschaeve1 et Alain Peigney21 Laboratoire de Physique des Solides, ERS CNRS 111, INSA, Complexe Scientifique de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Chimie des Matériaux Inorganiques, ERA CNRS 1311, Université Paul Sabatier, 118 Route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France
Abstract
High resolution electron microscopy (HREM) is used to
show faulted dislocation loops resulting from ion bombardment
thinning in ZnO. The stacking faults are created by the
insertion of a Zn-O double layer in the basal plane and are of
the 
type (complex stacking fault).
Résumé
On utilise la microscopie électronique en haute résolution pour mettre en évidence des boucles de dislocations partielles provenant de l'amincissement par bombardement ionique d'un échantillon de ZnO. Les défauts d'empilement créés par insertion d'une double couche de Zn-O dans le plan basal sont du type 1Δ.
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6180J - Ion beam effects.
6170P - Stacking faults, stacking fault tetrahedra and other planar or extended defects.
Key words
dislocation loops -- electron microscopy -- II VI semiconductors -- ion beam effects -- stacking faults -- zinc compounds -- ion bombardment induced dislocation loops -- ZnO -- high resolution electron microscopy -- ion bombardment thinning -- stacking faults
© EDP Sciences 1995